IRF3315详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF3315L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF3315LPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF3315PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：94W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF3315S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF3315SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 过时/停产零件编号 Intersil EVALUATION BOARD ISL6413
- FET - 单 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257 MHZ 18PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .15A SOT23-5
- 晶体 ECS Inc 4-SOJ，9.40mm 间距 CRYSTAL 12.288MHZ 20PF SMD
- 晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG LDO TRPL OUTP 16QFN
- FET - 单 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.9V .15A SOT23-5
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 16.257 MHZ 20PF SMD
- 晶体 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- FET - 单 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
755-83252273 
0755-84507209 
13510131896 
0755-82542579 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-82561519 
0755-88291559 
075584505750 
0755-88917652 
0755-22655674 
19166203057 
0755-82723761 
18922805453 
18674491576 
