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IRF3314STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3314STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3315详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3315L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3315LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：21A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3315PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：94W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF4905STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IRF7413ZTR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
IRF3314STRR
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V D2PAK
E32-T15Y 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M
IMP1-1Q0-3E0-1E0-2D0-43-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-32HA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 32POS STRGHT W/PINS
IPP086N10N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
HCM1305-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD
IRF510STRRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
E32-T15Y 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M
IMP1-2E0-1B0-1L0-1N0-1Q0-1W0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-32JB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 32POS STRGHT W/SKT
IPP08CN10N G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
HCM1305-R47-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 0.47UH SMD
E32-T15YR 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER HI FLEX THRUBEAM 2M

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