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IRF2807L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：82A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF2807PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：82A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF2807S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：82A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF2807SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：82A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF2807STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：82A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF2807STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：82A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

FFD35US-14336-X-P80
存储器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 14GB
H5BXT-10106-R7-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065R/X 6"
IRF2805STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
H11L1S(TA)
光隔离器 - 逻辑输出 Everlight Electronics Co Ltd 6-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER SCHMITT TRIG 6-SMD
GKZS4
配件 Honeywell Sensing and Control GKZ KEYS UP-DOWN ADJ KEY
ISL21080CIH330Z-TK
PMIC - 电压基准 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SERIES 3V SOT-23-3
FFD35US-16384-X-P80
存储器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 16GB
H11L1S(TB)
光隔离器 - 逻辑输出 Everlight Electronics Co Ltd 6-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER SCHMITT TRIG 6-SMD
FFD35US-20480-P80
存储器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 20GB
ISL21080DIH312Z-TK
PMIC - 电压基准 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SERIES 1.25V SOT-23-3
GKZS7
配件 Honeywell Sensing and Control KEY 90DEG KEY FOR GKS SERIES
H11L1SR2M
光隔离器 - 逻辑输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER LOGIC OUT 6-SMD
FFD35US-24576-X-P68
存储器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 24GB
H11L1TM
光隔离器 - 逻辑输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER SCHMITT-TRIG 6-DIP
FFD35US-26624-N-P68
存储器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 26GB

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