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IRF1405ZS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF1405ZS-7P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫欧 @ 88A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：管件

IRF1405ZS-7PPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫欧 @ 88A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：管件

IRF1405ZSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4780pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1405ZSTRL-7P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫欧 @ 88A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

IRF1405ZSTRL7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫欧 @ 88A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5360pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

FAD1-09225DSHW11
风扇 - DC Qualtek FAN 92.5X25MM 24VDC SLEEVE WIRE
F721A686MRC
钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 68UF 10V 20% 2824
IRF1405STRRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
EYM06DTBN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
IMC1812ESR10K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100NH 10% 1812
F721C336KRC
钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 16V 10% 2824
FAD1-09225DSLW11
风扇 - DC Qualtek FAN 92.5X25MM 24VDC SLEEVE WIRE
CRCW251217K4FKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 17.4K OHM 1W 1% 2512 SMD
F721C336KRC
钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 16V 10% 2824
EYM06DTBN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
IMC1812ESR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
F73-5-M
接线座 - 配件 - 导线金属环 Panduit Corp 2824（7260 公制） FERRULE NON INS 24AWG 7/32"
FAD1-12032CHJW12
风扇 - DC Qualtek FAN 120X32.3MM 12VDC HYDRO WIRE
CRCW251217R8FKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 17.8 OHM 1W 1% 2512 SMD
IRF1902GPBF
其它 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

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