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IRF1405S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1405SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1405STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF1405STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF1405STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF1405STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

K561K15X7RK5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
LCBG-1-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD GUIDE LOCK .825"L
IRF1404PBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
LP3981ILD-3.03/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.03V .3A 6LLP
LD02YC102KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1000PF 16V 10% X7R 0402
ECW-U2182V16
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 1800PF 250VDC 1913
ECW-H16112JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 1100PF 1.6KVDC RADIAL
JQ1AP-5V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模块，1/2 砖 RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 5V
K561K15X7RL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 560PF 500V X7R RADIAL
LP3981ILDX-2.5/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.5V .3A 6-LLP
LD02YC103KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 16V 10% X7R 0402
ECW-U2183JC9
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 0.018UF 250VDC 1913
ECW-H16112RHV
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 1100PF 1.6KVDC RADIAL
JQ1P-12V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模块，1/2 砖 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
K561K15X7RL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 560PF 500V X7R RADIAL

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