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IRF1405LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF1405PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：169A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF1405S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1405SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1405STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF1405STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：131A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫欧 @ 101A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IMCSN-3000-25-U
热缩管 3M 1812（4532 公制） HEAT SHRINK IMCSN 3000 BK 25FT
IRF7353D2
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
IRF1405S
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
E32-T14
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRUBEAM SIDEVIEW
DTS24F17-8PA-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 8POS PIN
HCM11DRKN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
IPL60R385CP
FET - 单 Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON
IMCSN-4300-25-U
热缩管 3M 1812（4532 公制） HEAT SHRINK IMCSN 4300 BK 25 FT
DTS26F17-99JA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 23POS STRGHT W/SKT
DTS24F17-8PC
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 8POS JAM NUT W/PINS
E32-T14
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRUBEAM SIDEVIEW
DTS26F17-99JB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 23POS STRGHT W/SKT
IMD10162
仪表 - 面板，数字 Red Lion Controls 1812（4532 公制） W/EXC & ALARMS 115/230VAC
HCM11DRTI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
IPM12C0A0S04FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 0.9 5V 4A SMD

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