IRF1404L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：162A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 95A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF1404LPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：162A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 95A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF1404PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：202A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 121A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：196nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5669pF @ 25V
- 功率_最大：333W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF1404S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：162A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 95A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF1404SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：162A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 95A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF1404STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：162A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 95A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7360pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，连接器 SENSOR PHOTOELECTR 0.8M PREWIRE
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 10-MSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TXRX ESD 3.3V RS485/422 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR OPTO REFL 4M PREWIRED MOD
0755-82533156 
0755-23996734 
0755-83202411 
19166203057 
0755-83202997 
0755-82569753 
0755-23612326 
0755-22655674 
0755-82798529 
0755-23613962 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-82525087 
755-88608527（ 
