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IRF1310NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1310NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF1310NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF1310NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF1310NSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

DTS26F17-8PD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
IMC1812RV820K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
IPI65R420CFD
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
IRF7331TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） HEX/MOS N-CH DUAL 20V 7.0A 8SOIC
IRF1310NSTRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
DTS24F17-6PD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS JAM NUT W/PINS
HCM1104-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 1UH SMD
DTS26F17-8SA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT
IMC1812RV821K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820UH 10% 1812
IRF7342D2TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
DTS24F17-6SD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 6POS SKT
HCM1104-4R7-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 4.7UH SMD
DTS26F17-8SB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT
IMC1812RV8R2K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 10% 1812
IPI80N04S3-H4
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

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