

IRF1104L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:93nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF1104PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:93nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
- 功率_最大:170W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF1104S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:93nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF1104STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:93nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF1104STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:93nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- LED - 电路板指示器,阵列,发光条,条形图 Avago Technologies US Inc. 径向 LED 5MM GAP GRN RT ANGLE HOUSING
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- 评估演示板和套件 Avago Technologies US Inc. 25.91mm 外径 x 12.83mm 内径 x 28.58mm L KIT EVAL FIBER OPTIC 32MBD
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 13 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- PMIC - 监控器 Intersil SC-70,SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.63V SC70-3
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 512X36 1.8V SYNC 165FBGA
- 配件 Avago Technologies US Inc. 径向 HOUSING RA FOR 5MM HIGH DOME LED
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 144.015 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 评估演示板和套件 Avago Technologies US Inc. 25.91mm 外径 x 12.83mm 内径 x 28.58mm L KIT EVAL FIBER OPTICS 2MBD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 512X36 1.8V SYNC 165FBGA
- PMIC - 监控器 Intersil SC-70,SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.92V SC-70
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
- 配件 Avago Technologies US Inc. 径向 HOUSING RA FOR 5MM HIGH DOME LED