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IRF1010EZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF1010EZL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF1010EZLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF1010EZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF1010EZS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1010EZSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 51A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

F6F0.38TB
螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 径向，圆盘 FLAME RETARDANT 3/8" BLACK 150’
FAD1-08015CBJW12
风扇 - DC Qualtek FAN 80X15MM 12VDC BALL WIRE
IRF1010EZL
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
CRCW2512165KFKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 165K OHM 1W 1% 2512 SMD
IMC1812ER820K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
EYG.2B.314.NLN
连接器，互连器件 LEMO RECPT NUT FIX CDG 14CTS
F6F0.75TB
螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 径向，圆盘 FLAME RETARDANT 3/4" BLACK 100’
FAD1-08025CAAW11
风扇 - DC Qualtek FAN 80X25MM 12VDC BALL/SLVE WIRE
F6F1.00TB50
螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 径向，圆盘 FLAME RETARDANT 1" BLACK 50’
CRCW2512169RFKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 169 OHM 1W 1% 2512 SMD
EYG-A121810P
热 - 垫，片 Panasonic Electronic Components PGS SHEET 115X180MM W/POLYESTER
IMC1812ER8R2K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 10% 1812
F6KY1G960B4NF-Z
SAW 滤波器 Taiyo Yuden 5-SMD，无引线 FILTER SAW 1.96GHZ PCS SMD
FAD1-08025CBAW11
风扇 - DC Qualtek FAN 80X25MM 12VDC BALL WIRE
F6N0.13BK100
螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 5-SMD，无引线 F6 SELF WRAP 1/8" BLACK 100’

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