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IPD30N03S2L-10详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

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CX0805MRX7R9BB223
陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 50V 20% X7R 0805
GRM1885C1H242JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2400PF 50V 5% NP0 0603
FSK-S5-24U
AC DC 转换器 CUI Inc CONVERTER AC-DC 24V 0.21A 5W
HIP4083AB
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HISIDE N-CH 3PH 16SOIC

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