IPD100N04S4-02详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 100A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 95µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:118nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:9430pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3-313
- 包装:带卷 (TR)
IPD100N06S4-03详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫欧 @ 100A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 90µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:10400pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3-11
- 包装:带卷 (TR)
IPD105N03L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
- 功率_最大:38W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:剪切带 (CT)
IPD105N03L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
- 功率_最大:38W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:Digi-Reel®
IPD105N03L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
- 功率_最大:38W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
IPD105N04L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 40A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 14µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 20V
- 功率_最大:42W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603
- 矩形 - 外壳 Samtec Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 CONN HOUSING 6POS 2.54MM DUAL
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 0402(1006 公制) DIODE ZENER 22V 125MW 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE HEXFRED 1200V 16A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.9V .15A/.3A 10-DFN
- 过时/停产零件编号 Freescale Semiconductor BUS ANALYZER CABLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 22PF 50V 1% NP0 0603
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3V/2.7V 10-DFN
- 二极管,整流器 Vishay Semiconductors TO-244AB DIODE HEXFRED 400V 172A TO-244AB
- 配件 Freescale Semiconductor BUS ANALYZER CABLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 220PF 50V 5% NP0 0603