

IPD06N03LA G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:Digi-Reel®
IPD06N03LA G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
IPD06N03LA G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:剪切带 (CT)
IPD06N03LB G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:Digi-Reel®
IPD06N03LB G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
IPD06N03LB G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.1 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:剪切带 (CT)
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V/3.3V .3A 10-DFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.068UF 100VDC RADIAL
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DVR HI SIDE/DUAL LOW 20-SOIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS W/PIN BOX
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 10POS CBL MNT W/SKTS
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
- LED - 分立式 OSRAM Opto Semiconductors Inc 0603(1608 公制) LED SMARTLED 606NM ORN 0603 SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.082UF 100VDC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.85V/1.8V .3A 10-DFN
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT PIN
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
- LED - 分立式 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,Z形弯曲d LED MINI TOPLED ORANGE 606NM SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 10000PF 50VDC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.9V .3A 10-DFN
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 3POS CABLE PIN