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IPB100N06S2L-05详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5660pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

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逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8KX18 LP 10NS 64QFP
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线槽，走线系统 - 附件 Panduit Corp 10-SMD 模块 FITTING PWR INS CRNR LDP3 OWHT
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PMIC - 监控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 4.64V SOT23-3

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