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IPB05N03LA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：剪切带 (CT)

IPB05N03LA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

IPB05N03LA G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

IPB05N03LAT详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

IPB05N03LAT详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：剪切带 (CT)

IPB05N03LB详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3209pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

F971C685KBA
钽 Nichicon 1411（3528 公制） CAP TANT 6.8UF 16V 10% SMD
IPB057N06N
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSF N CH 60V 17A TO263-3
F1350BB03
线路滤波器 Curtis Industries 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） FILTER GEN PURPOSE 3A WIRE
IMP4-3W0-4LE0-4NN0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IHLP1616ABER2R2M11
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2.2UH 2.75A SMD
CS8141YT7
PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor TO-220-7 IC REG LDO 5V .5A TO220-7
F971C685MBA
钽 Nichicon 1411（3528 公制） CAP TANT 6.8UF 16V 20% 1411
IPB05CN10N G
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
F971D105MAA
钽 Nichicon 1206（3216 公制） CAP TANT 1UF 20V 20% 1206
IMP4-3W0-4LL0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
CS8147YTHA5
PMIC - 稳压器 - 线性 ON Semiconductor TO-220-5 成形引线 IC REG LDO 10V/5V TO220-5
IHLP1616ABER47NM01
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .047UH 13.0A SMD
F971D106KCC
钽 Nichicon 2413（6032 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% SMD
IPB05N03LB G
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
F971D156MNC
钽 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 15UF 20V 20% 2917

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