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IHLP5050FDER1R0M01详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR POWER 1.0UH 32A SMD; 系列：IHLP-5050FD-01; 制造商：Vishay Dale; 类型：-; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：32A; 电流_饱和值：49A; 容差：±20%; 材料_磁芯：-; 屏蔽：屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 2 毫欧; 不同频率时的Q值：-; 频率_自谐振：-; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 封装/外壳：非标准; 大小/尺寸：0.520" L x 0.508" W x 0.256" H（13.20mm x 12.90mm x 6.50mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：剪切带 (CT)

IHLP5050FDER1R0M01详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR POWER 1.0UH 32A SMD; 系列：IHLP-5050FD-01; 制造商：Vishay Dale; 类型：-; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：32A; 电流_饱和值：49A; 容差：±20%; 材料_磁芯：-; 屏蔽：屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 2 毫欧; 不同频率时的Q值：-; 频率_自谐振：-; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 封装/外壳：非标准; 大小/尺寸：0.520" L x 0.508" W x 0.256" H（13.20mm x 12.90mm x 6.50mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR)

IHLP5050FDER1R0M01详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR POWER 1.0UH 32A SMD; 系列：IHLP-5050FD-01; 制造商：Vishay Dale; 类型：-; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：32A; 电流_饱和值：49A; 容差：±20%; 材料_磁芯：-; 屏蔽：屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 2 毫欧; 不同频率时的Q值：-; 频率_自谐振：-; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 封装/外壳：非标准; 大小/尺寸：0.520" L x 0.508" W x 0.256" H（13.20mm x 12.90mm x 6.50mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：Digi-Reel®

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存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA
OMI-SS-212L,500
功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 12V
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固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .33UH 42A SMD
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压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 75PSI 1/8-27NPT .5-4.5V
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接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 17POS 5MM
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功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
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存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP
P51-75-S-H-I36-5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 75PSIS M12 5V 36"
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP VFB 150MHZ SGL SOT23-6
P6KE550C-HF
TVS - 二极管 Comchip Technology DO-204AC，DO-15，轴向 TVS 600W 550V BIDIRECT DO-15
OSTEO240100
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 24POS 5MM
IDT71V65903S85BG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
OMIT-SH-112LM,394
功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 12V

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