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IDT71V424S10YG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：36-BSOJ; 供应商器件封装：36-SOJ; 包装：管件

IDT71V424S10YG8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：36-BSOJ; 供应商器件封装：36-SOJ; 包装：带卷 (TR)

IDT71V424S10YG8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：36-BSOJ; 供应商器件封装：36-SOJ; 包装：Digi-Reel®

IDT71V424S10YG8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：36-BSOJ; 供应商器件封装：36-SOJ; 包装：剪切带 (CT)

IDT71V424S10YGI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：36-BSOJ; 供应商器件封装：36-SOJ; 包装：管件

IDT71V424S10YGI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (512K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：36-BSOJ; 供应商器件封装：36-SOJ; 包装：带卷 (TR)

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