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IDT70V3579S6DR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：1.125M（32K x 36）; 速度：6ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：208-BFQFP; 供应商器件封装：208-PQFP（28x28）; 包装：托盘

IDT70V3579S6DR供应商

LGY1H562MELB30
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 5600UF 50V 20% SNAP
DS1135LZ-12/T&R
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC
IDT70V3579S5BCI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
GRM31MF51C335ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 16V Y5V 1206
IMC1812BNR10M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100NH 20% 1812
DTS120100SUDC-P6N
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1000MA P6 NEG C
IHSM4825PJ3R3L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD
DSI30-16AS-TUBE
单二极管/整流器 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE STD 1600V 30A TO-263AA
DS1135LZ-12+T&R
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC
IMC1812BNR33J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330NH 5% 1812
DTS120100SUDC-P7/RP
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1000MA P7 RA POS
LGY1J222MELZ35
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 2200UF 63V 20% SNAP
IHSM4825PJ560L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 56UH 0.95A SMD
DSI75-08B
单二极管/整流器 IXYS DO-203AB，DO-5，接线柱 DIODE CATH 1200V 110A DO-203AB
IDT70V3589S166BC
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA

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