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IDT70V3379S4BC详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：576K（32K x 18）; 速度：4ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

IDT70V3379S4BC8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：576K（32K x 18）; 速度：4ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：带卷 (TR)

IDT70V3379S4BCG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：576K（32K x 18）; 速度：4ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

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IHSM4825ER101L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 100UH .73A SMD
IDT70V3319S166PRF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP
LGW2E271MELZ25
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP
DS1100Z-40+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC
DTS060330UDC-P13P
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P13 POS C
IMC1210SYR18M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180NH 20% 1210
IHSM4825ER151L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 150UH .58A SMD
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电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP
DSF050J824
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.82UF 50VDC RADIAL
DTS060330UDC-P6N
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 3300MA P6 NEG C
IMC1210SYR39K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 390NH 10% 1210
IHSM4825ER181L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 180UH .50A SMD
DS1100Z-450+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 5TAP 450NS 8-SOIC
LGW2E821MELC30
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 820UF 250V 20% SNAP