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HYB18T512800BF-3S详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA; 系列：-; 制造商：Qimonda; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：333MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-TFBGA（10.5x10）; 包装：带卷 (TR)

HYB18T512800BF-3S详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA; 系列：-; 制造商：Qimonda; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：333MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 95°C; 封装/外壳：60-TFBGA; 供应商器件封装：60-TFBGA（10.5x10）; 包装：剪切带 (CT)

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GRM2196R2A3R1CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 3.1PF 100V R2H 0805
IDT7025L35J8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 84-LCC（J 形引线） IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC
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