HUF75345G3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：275nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：325W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247
- 包装：管件
HUF75345P3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：275nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：325W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
HUF75345S3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：275nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：325W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：管件
HUF75345S3S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：275nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：325W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：管件
HUF75345S3ST详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：275nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：325W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263AB
- 包装：Digi-Reel®
HUF75345S3ST详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：275nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：325W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263AB
- 包装：带卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 215K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 97.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 154 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 2010（5025 公制） RES ANTI-SULFUR 2.7K OHM 1% 2010
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 5AG，10mm x 38.1mm FUSE 8A 500V MIDGET TLAG UL CSA
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 21.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 976K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 154 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 2010（5025 公制） RES ANTI-SULFUR 270K OHM 1% 2010
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 5AG，10mm x 38.1mm FUSE 1A 600VAC T-LAG CC TYPE
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 97.6 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
028-87781882 
0755-88917652 
0755-82533156 
15112667855 
0755-82170267 
0755-83951431 
15821228847 / 
0755-23306107 
010-62962871、 
0755-89697985 
0755-83264115 
0755-23613962 
0755-82799659 
0755-82561519 
0755-82865294 
