FZT755TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP -150V -1000MA SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):150V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 500mA,5V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:30MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
FZT755TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP -150V -1000MA SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):150V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 500mA,5V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:30MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
- PMIC - 电压基准 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SERIES PREC 3.3V SOT23-3
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 8POS WALL MT SCKT
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP -60V -2000MA SOT-223
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 2200PF 50V 5% NP0 1206
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 INDUCTOR 0.47UH LOW PRO SHLD SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1200PF 200V 5% RADIAL
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 180SEC 28-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.22UF 50V Y5V RADIAL
- PMIC - 电压基准 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SERIES PREC SOT-23-3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.022UF 50V 5% NP0 1206
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 INDUCTOR 1.0UH LOW PRO SHLD SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1200PF 200V 5% RADIAL
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 180SEC 28-SOIC
- 触摸屏覆盖层 IRTouch Systems 径向 TOUCHSCREEN 23" USB
- PMIC - 电压基准 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SERIES PREC 3.3V SOT23-3