FQT7N10的供应信息|PDF资料|求购FQT7N10上51电子网

FQT7N10LTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 850mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：剪切带 (CT)

FQT7N10LTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 850mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：Digi-Reel®

FQT7N10LTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 850mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：带卷 (TR)

FQT7N10TF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 850mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：剪切带 (CT)

FQT7N10TF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 850mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：Digi-Reel®

FQT7N10TF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫欧 @ 850mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：带卷 (TR)

IPR3SAD3L0G
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
FQT4N25TF
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
CW010750R0JR69
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 750 OHM 13W 5% WW AXIAL
HG-HOLDDOWN-CLIP
配件 Panasonic Electric Works 4-SOJ，5.08mm 间距 ACCY HOLD-DOWN CLIP FOR HG SCKT
HEDR-5120#H06
配件 Avago Technologies US Inc. CODEWHEEL REFL 2CH 408CPR 1/4"
HCM11DSXH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD
GRM1556R1H1R6CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.6PF 50V R2H 0402
IR3084UMTRPBF
PMIC - 电源管理 - 专用 International Rectifier 28-MLPQ IC CTLR XPHASE 28-MLPQ
CW010750R0JS73
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 750 OHM 13W 5% WW AXIAL
HEDR-5120#H12
配件 Avago Technologies US Inc. CODEWHEEL REFL 2CH 408CPR 6MM
HCM11DSXI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD
GRM1556R1H200GZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 20PF 50V 2% R2H 0402
IR3087M
PMIC - 电源管理 - 专用 International Rectifier 20-MLPQ IC XPHASE W/OVP/TM CTRL 20-MLPQ
CW010750R0KE12
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 750 OHM 13W 10% WW AXIAL
IPR3SAD5L0S
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V

FQT7N10 全国供应商、价格、PDF资料