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FQPF6N90 全国供应商、价格、PDF资料

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FQPF6N90详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:900V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.9 欧姆 @ 1.7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1880pF @ 25V
功率_最大:56W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

FQPF6N90C详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:900V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 欧姆 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
功率_最大:56W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

FQPF6N90CT详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:900V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 欧姆 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
功率_最大:56W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件

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