FQP50N06详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1540pF @ 25V
- 功率_最大:120W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
FQP50N06L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:52.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 26.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1630pF @ 25V
- 功率_最大:121W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V 2A 10DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 0.018UF 100V RADIAL
- PMIC - 电池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION 4.1V 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 470PF 3KV 20% RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V 3A 10DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 0.018UF 100V RADIAL
- PMIC - 电池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION 4.2V 16-QFN
- PMIC - 电池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION 4.2V 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 0.018UF 100V RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 3A 10DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 4700PF 3KV 10% RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
- PMIC - 电池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC CHARGER LI-ION 4.2V 4X4 16QFN