FQD7P06TF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:451 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD7P06TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:451 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:剪切带 (CT)
FQD7P06TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:451 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:Digi-Reel®
FQD7P06TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:451 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:带卷 (TR)
FQD7P06TM_F080详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:451 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD7P06TM_NB82050详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:451 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 20 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY ACTUATOR
- 同轴,RF Amphenol-RF Division CONN PLUG FAKRA R/A PCB
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSE METAL 22 OHM 1/2W 5%
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 1.8PF 50V NP0 0201
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 210K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 同轴,RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-58, 141
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY ACTUATOR
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 210K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 1.9PF 50V NP0 0201
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY ACTUATOR
- 同轴,RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-58, 141
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSE METAL 470 OHM 1/2WS 5%