FQD7N10LTF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD7N10LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:Digi-Reel®
FQD7N10LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:带卷 (TR)
FQD7N10LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:剪切带 (CT)
FQD7N10TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
FQD7N10TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH CONTACT BLOCK SNAP SPDT
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.36UF 400VDC RADIAL
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY CONTACT BLOCK
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.039UF 400VDC RADIAL
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY CONTACT BLOCK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.039UF 400VDC RADIAL
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control GLZ3 GLOBAL LIMIT SW SNAP-ACTION
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.043UF 400VDC RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.43UF 400VDC RADIAL
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control GLZ3 GLOBAL LIMIT SW NON PLUG
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.43UF 400VDC RADIAL
- 配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY CONTACT BLOCK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.43UF 400VDC RADIAL