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当前位置:网站首页 » 库存索引224 » 型号"FQD2N60"的供应信息

FQD2N60 全国供应商、价格、PDF资料

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FQD2N60CTF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.7 欧姆 @ 950mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

FQD2N60CTF_F080详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.7 欧姆 @ 950mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

FQD2N60CTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.7 欧姆 @ 950mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:剪切带 (CT)

FQD2N60CTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.7 欧姆 @ 950mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)

FQD2N60CTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.7 欧姆 @ 950mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:Digi-Reel®

FQD2N60TF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

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