FQD13N06LTF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD13N06LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:Digi-Reel®
FQD13N06LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:带卷 (TR)
FQD13N06LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252-3
- 包装:剪切带 (CT)
FQD13N06TF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:310pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD13N06TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:310pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC10H/AE10G/HPL10H
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1913(4833 公制) CAP FILM 0.022UF 100VDC 1913
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC50H/AE50M/HPL50H
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1913(4833 公制) CAP FILM 0.022UF 100VDC 1913
- FET - 单 Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 100V 12A DPAK
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC60H/AE60G/HPL60H
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1913(4833 公制) CAP FILM 0.022UF 100VDC 1913
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC64H/AE64G/HPL64H
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR10H/AE10G/HKR10H
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1913(4833 公制) CAP FILM 0.027UF 100VDC 1913
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR20H/AE20M/HKR20H
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1913(4833 公制) CAP FILM 0.027UF 100VDC 1913
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR20H/AE20M/HKR20H