FQD12N20LTF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 4.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD12N20LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 4.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD12N20LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 4.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
FQD12N20LTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 4.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
FQD12N20LTM_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 4.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FQD12N20TF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 4.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:910pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1.8K OHM 1/2W 2% AXIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 EXTEND
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
- FET - 单 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors Flipky? RECTIFIER SCHOTTKY 40V 1A FLIPKY
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1M OHM 1/2W 5% AXIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
- FET - 单 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC INVERTER QUAD 4-INPUT 48TSSOP
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1 OHM 1/2W 5% AXIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 EXTEND
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD