FQB6N40CTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1 欧姆 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:625pF @ 25V
- 功率_最大:73W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AB,SMC DIODE GEN PURP 3A 1000V DO-214AB
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.5M OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.015UF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 0.068UF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AB,SMC DIODE GEN PURP 5A 50V DO-214AB
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.015UF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.022UF 50V 10% X8R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) RES ANTI-SULFUR 0.27 OHM 5% 0805
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 4.7UF 6.3V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X8R 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK