FQB3N90TM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.25 欧姆 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:910pF @ 25V
- 功率_最大:3.13W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 螺丝端子 CAP ALUM 10000UF 30V SCREW
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 3.3UF 50V 10% X7R 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 螺丝端子 CAP ALUM 1500UF 75V SCREW
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.2K OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 6800PF 100V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 3.3UF 50V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.068UF 25V 10% X8R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 12K OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 10UF 50V 10% X7S 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 13 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.068UF 25V 10% X8R 0603
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 螺丝端子 CAP ALUM 27000UF 30V SCREW