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当前位置:网站首页 » 库存索引198 » 型号"FQB17N08"的供应信息

FQB17N08 全国供应商、价格、PDF资料

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FQB17N08LTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:16.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.25A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.5nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:带卷 (TR)

FQB17N08TM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:16.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 8.25A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D²PAK
包装:带卷 (TR)

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