FQA85N06详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:112nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4120pF @ 25V
- 功率_最大:214W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3PN
- 包装:管件
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 15.8 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 10000PF 500V NP0 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 15.8 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 10000PF 500V NP0 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 18.2 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.15UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 2700PF 500V 5% NP0 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL