FQA85N06详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：112nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4120pF @ 25V
- 功率_最大：214W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3PN
- 包装：管件
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 15.8 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 500V NP0 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 15.8 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 500V NP0 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 18.2 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 2700PF 500V 5% NP0 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
0755-82574045 
0755-88291559 
13910052844（微 
13910052844（微 
171-4729-0036 
0755-22929859 
0755-89697985 
0755-83039139 
010-62962871、 
0755-15913992 
0755-83039139 
0755-83035161 
0755-83223003 
0755-22669259 
010-62962871、 
