FQA62N25C详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 31A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6280pF @ 25V
- 功率_最大：298W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3PN
- 包装：管件
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22UF 10V RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.0 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22UF 10V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 6.8UF 10V 10% X7R 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.10K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 18.432MHZ 3.3V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 120 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.033UF 100V 5% NP0 1210
0755-22655674 
0755-23051326 
18927479189 
0755- 8251939 
0755-82723761 
0755-22929859 
0755-83244680 
13510131896 
0755-82561519 
0755-18503085 
171-4755-1968 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83777708 
0755-82574045 
