FDU6612A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
- 晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 13PF 49UA
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393 MHZ 18PF 49US
- 晶体 ECS Inc 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 24.576 MHZ 20PF SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.5M OHM 1W 5% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 0.15UF 100V 10% X7R 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 3.3UF 35V 10% X7R 1206
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393MHZ 18PF SMD
- 晶体 ECS Inc 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 24.576 MHZ 20PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.58M OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 5.11K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 35V 20% X7R 1206
- 晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF 49UA
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 1.5UF 50V 10% X7R 2225