FDS6930A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 15V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
FDS6930A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 15V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
FDS6930A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 15V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
FDS6930B详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:38 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:412pF @ 15V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
FDS6930B详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:38 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:412pF @ 15V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
FDS6930B详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:38 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:412pF @ 15V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 3V SOT-23-3
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TXRX RS232 460KBPS 10-UMAX
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 9.76K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 3POS STRGHT W/PINS
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 28-DIP(0.600",15.24mm) IC MULTIPLEXER DUAL 8X1 28DIP
- PMIC - 电压基准 Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 3V SOT-23-3
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC SWITCH SPST SC70-5
- 时钟/计时 - 专用 Maxim Integrated 20-WFQFN 裸露焊盘 IC RECOV/RETIME 2.5GBPS 20TQFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 3.60 OHM 1/2W 1% 1210 SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 3POS PIN
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 16-WFQFN 裸露焊盘 IC DRIVER SFP CABLE 16-TQFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Maxim Integrated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC OP AMP LOW POWER SC70-6
- PMIC - 电压基准 Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-3