FDS6898AZ详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
FDS6898AZ详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：剪切带 (CT)
FDS6898AZ详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：Digi-Reel®
FDS6898AZ_F085详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
FDS6898AZ_F085详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
FDS6898AZ_F085详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 9.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1821pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 2512（6432 公制） RES .004 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 2.7PF 50V NP0 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 0.91 OHM 1% 0805
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
- PMIC - 电源分配开关 Fairchild Semiconductor 4-UFBGA，WLCSP IC LOAD SWITCH INTELLIMAX 4WLCSP
- 钽 Nichicon 1206（3216 公制） CAP TANT 47UF 4V 10% 1206
- 通孔电阻器 Panasonic Electronic Components 轴向 RES 360K OHM CARBON FILM 1/4W 5%
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 280K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 2512（6432 公制） RES .005 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 1 OHM 5% 0805
- PMIC - 电源分配开关 Fairchild Semiconductor 4-UFBGA，WLCSP IC LOAD SWITCH ADV 4WLCSP
- 钽 Nichicon 1206（3216 公制） CAP TANT 47UF 4V 20% 1206
- 通孔电阻器 Panasonic Electronic Components 轴向 RES 3.9 OHM CARBON FILM 1/4W 5%
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.3PF 50V NP0 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 28.7K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
0755-82575207 
0755-22655674 
010-62104931、 
075582796732 
0755-23915992 
755-23914055 
0755-22929859 
13510131896 
0755-83200050 
15112667855 
15914072177 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
