FDS6680详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
FDS6680详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
FDS6680详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
FDS6680A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
FDS6680A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
FDS6680A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 激光驱动器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 2.7GBPS 3.63V 32TQFN
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 80.6 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC AMP AUDIO PWR 1.9W AB 10MSOP
- 接口 - 专用 Maxim Integrated 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC PORT BYPASS 2.125GBPS 16-QSOP
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SOT23
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 5POS STRGHT W/PINS
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 82.5K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO PWR MONO AB 12USMD
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-DIP(0.300",7.62mm) IC MULTIPLEXER 8X1 16DIP
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SC70-5