FDP150N10详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:57A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 49A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4760pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
FDP150N10A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1440pF @ 50V
- 功率_最大:91W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220-3
- 包装:管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 15M OHM 1/2W 2% AXIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 2.8PF 50V NP0 0402
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 19.9 OHM 1/2W 1% AXIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 0.5PF 50V S2H 0402
- FET - 阵列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 6/5A 8-SOP
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 156.25 MHZ 3.3V PECL SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 0.5PF 50V S2H 0402
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 16.625 MHZ 3.3V PECL SMD
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 1.00K OHM 1/2W .1% AXIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 300PF 50V 5% NP0 0402
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 15.4M OHM 1/2W 2% AXIAL
- AC DC 桌面、壁式变压器 Iccnexergy 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) PWR SUPP DESKTOP 12V 72W
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 0.6PF 50V S2H 0402