FDN359BN详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:带卷 (TR)
FDN359BN详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:Digi-Reel®
FDN359BN详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:剪切带 (CT)
FDN359BN_F095详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:Digi-Reel®
FDN359BN_F095详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:带卷 (TR)
FDN359BN_F095详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 15V
- 功率_最大:460mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:3-SSOT
- 包装:剪切带 (CT)
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 10.7 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC RS232 3V5.5V DRVR ESD 20-SOIC
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
- 接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盘 IC USB PERIPH/HOST CNTRL 32TQFN
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-5
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated SC-74A,SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments IC VREF SHUNT 2.5V SOT-23-3
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 113 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Maxim Integrated IC VOLTAGE REF DDR 3.6V TSOT23
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SOT23
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 10-WFDFN 裸露焊盘 IC REG BST SYNC ADJ 0.12A 10-LLP
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH SPST 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 115K OHM 1/8W 1% 0805 SMD