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FDH300详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE HI CONDUCTANCE 125V DO-35; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：125V; 电流_平均整流333Io444：200mA; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1V @ 200mA; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：1nA @ 125V; 电容0a0VrwwwwF：6pF @ 0V，1MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向; 供应商设备封装：DO-35; 包装：散装

FDH300_T50R详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE 125V 200MA DO35; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：125V; 电流_平均整流333Io444：200mA; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1V @ 200mA; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：1nA @ 125V; 电容0a0VrwwwwF：6pF @ 0V，1MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向; 供应商设备封装：DO-35; 包装：带卷 (TR)

FDH300A详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE 125V 200MA DO35; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：125V; 电流_平均整流333Io444：200mA; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1V @ 200mA; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：1nA @ 125V; 电容0a0VrwwwwF：6pF @ 0V，1MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向; 供应商设备封装：DO-35; 包装：散装

FDH300A_T50R详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE 125V 200MA DO35; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：125V; 电流_平均整流333Io444：200mA; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1V @ 200mA; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：1nA @ 125V; 电容0a0VrwwwwF：6pF @ 0V，1MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向; 供应商设备封装：DO-35; 包装：带卷 (TR)

FDH300ATR详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE 125V 200MA DO35; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：125V; 电流_平均整流333Io444：200mA; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1V @ 200mA; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：1nA @ 125V; 电容0a0VrwwwwF：6pF @ 0V，1MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向; 供应商设备封装：DO-35; 包装：带卷 (TR)

FDH300TR详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE HI CONDUCTANCE 125V DO-35; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：125V; 电流_平均整流333Io444：200mA; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1V @ 200mA; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 反向恢复时间333trr444：-; 电流_在Vr时反向漏电：1nA @ 125V; 电容0a0VrwwwwF：6pF @ 0V，1MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向; 供应商设备封装：DO-35; 包装：剪切带 (CT)

FDH210N08
FET - 单 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3
GRM1555C1ER60BZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 0.6PF 25V NP0 0402
GMK105BJ104KV-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
F931V156MNC
钽 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 15UF 35V 20% 2917
GRM0335C1E4R3CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.3PF 25V NP0 0201
FDH300A
单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE 125V 200MA DO35
GRM1555C1H100FA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 10PF 50V NP0 0402
GMK107BJ105KA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 10% X5R 0603
F931V225MAA
钽 Nichicon 1206（3216 公制） CAP TANT 2.2UF 35V 20% 1206
GRM1555C1H100JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0402
GMK107BJ473KA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 0.047UF 35V 10% X5R 0603
F931V226KNC
钽 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 22UF 35V 10% 2917
GRM0335C1E4R7CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.7PF 25V NP0 0201
FDH333
单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE HI CONDUCTANCE 125V DO-35
GRM1555C1H100JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0402

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