

FDD8424H详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
- 供应商设备封装:TO-252-4L
- 包装:剪切带 (CT)
FDD8424H详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
- 供应商设备封装:TO-252-4L
- 包装:带卷 (TR)
FDD8424H详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
- 供应商设备封装:TO-252-4L
- 包装:Digi-Reel®
FDD8424H_F085详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
- 供应商设备封装:4-DPAK
- 包装:带卷 (TR)
FDD8424H_F085详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
- 供应商设备封装:4-DPAK
- 包装:Digi-Reel®
FDD8424H_F085详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 20V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
- 供应商设备封装:4-DPAK
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
- 同轴,RF TPI (Test Products Int) 5-SMD,无引线 CABLE RG6/U W/F-CONN WHITE 15’
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.9PF 50V NP0 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
- 保险丝 AVX Corporation 0402(1005 公制) FUSE 0.1A 32V FAST THIN 0402
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
- 模块 I.O. Interconnect 0805(2012 公制) CABLE ASSY 8 POSITION 8 CONTACT
- 同轴,RF TPI (Test Products Int) 5-SMD,无引线 CABLE RG6/U W/F-CONN BLACK 25’
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 9.1PF 50V NP0 0402
- 保险丝 AVX Corporation 0402(1005 公制) FUSE 0.15A 32V FAST THIN 0402
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
- 同轴,RF TPI (Test Products Int) 5-SMD,无引线 CABLE RG6/U W/F-CONN BLACK 3’
- 快动,限位,拉杆 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) SWITCH ROTARY SIDE
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE 1A 200V SMC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 9.4PF 50V NP0 0402