FDD20AN06A0 全国供应商、价格、PDF资料
FDD20AN06A0详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:45A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 45A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:950pF @ 25V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252AA
- 包装:带卷 (TR)
FDD20AN06A0_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:45A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 45A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:950pF @ 25V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 220PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 25V Y5V 0805
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 6.49 OHM 1W 1% 2010 SMD
- PMIC - PFC(功率因数修正) STMicroelectronics 20-DIP(0.300",7.62mm) IC PWR FACTOR CORRECTOR 20-DIP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 100-BQFP CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 220PF 200V 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 LEMO 0805(2012 公制) RECPT W.NUT CDG 4CTS
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V Y5V 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 6.65 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
- 时钟/计时 - 专用 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK DRIVER 6-CHAN 20-QFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 100-BQFP CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
- 连接器,互连器件 LEMO 0805(2012 公制) RECPT W.NUT CDG 5CTS
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 220PF 200V 10% RADIAL
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 20.000MHZ 16PF SMD