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EMF21-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，280MHz; 功率_最大：300mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

EMF21-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，280MHz; 功率_最大：300mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

EMF21-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，280MHz; 功率_最大：300mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：Digi-Reel®

EMF21T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：带卷 (TR)

EMF21T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：SILICON EXPITAXIAL PLANAR TRANS; 系列：*; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：; 电流_集电极333Ic444（最大）：; 电压_集电极发射极击穿（最大）：; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：; 电流_集电极截止（最大）：; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：; 功率_最大：; 频率_转换：; 安装类型：; 封装/外壳：; 供应商设备封装：; 包装：

EMF21T2R详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，12V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：EMT6; 包装：剪切带 (CT)

ECG.0B.305.CLN
连接器，互连器件 LEMO CONN RCPT 5POS PNL MNT SKT PCB
CRCW1206604RFKEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 604 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERA-8AEB684V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 680K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EEE-FK1E330AP
电容器 Panasonic Electronic Components 径向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 25V 20% SMD
C1210X103KDRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1210
ERA-8AEB621V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 620 OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EMVE630GDA331MLH0S
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 330UF 63V 20% SMD
ECG.0B.306.CLN
连接器，互连器件 LEMO RECPT W.NUT CDG 6CTS
CRCW1206619KFKTA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 619K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
C1210X104K5RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1210
ERA-8AEB624V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 620K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EMVE630GDA471MLN0S
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 470UF 63V 20% SMD
ECG.1B.304.CLV
连接器，互连器件 LEMO RECPT W.NUT CDG 4CTS
ERA-8AEB6982V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 69.8K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EMG11T2R
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5

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