DTC114EM3T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:260mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:SOT-723
- 包装:剪切带 (CT)
DTC114EM3T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:260mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:SOT-723
- 包装:Digi-Reel®
DTC114EM3T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:260mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:SOT-723
- 包装:带卷 (TR)
DTC114EMT2L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 50MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:Digi-Reel®
DTC114EMT2L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 50MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:剪切带 (CT)
DTC114EMT2L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 50MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VMT3
- 包装:带卷 (TR)
- 接口 - 串行器,解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盘 IC DESERIALIZER BI-DIR 48-LLP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 4V 20% X7S 0805
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRAN DIGITL NPN 50V 50MA SOT-346
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DELAY LINE 5TAP 150NS 16-SOIC
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC BUS SWITCH QUAD QUICK 16-QSOP
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 2.2 10%
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 144-BGA IC FIFO 65536X18 5NS 144BGA
- 接口 - 串行器,解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盘 IC DESERIALIZER BI-DIR 48-LLP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 18PF 100V 5% T2H 1206
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 IDT, Integrated Device Technology Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC BUS SWITCH QUAD QUICK 14-SOIC
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DELAY LINE 5TAP 16-SOIC
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 5.6 10%
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 144-BGA IC FIFO 65536X18 6-7NS 144BGA
- 配件 Maxim Integrated IC IBTN HOLDER USB SGL F5 W/CAP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 0.047UF 16V 20% X7R 0805