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DMN32D2LV-7详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 100mA，4V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：39pF @ 3V; 功率_最大：400mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

DMN32D2LV-7详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 100mA，4V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：39pF @ 3V; 功率_最大：400mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

DMN32D2LV-7详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 100mA，4V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：39pF @ 3V; 功率_最大：400mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：Digi-Reel®

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电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK 12.0V 2500MAH NIMH
HSC19DREN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 EYELET
HSC44DTEF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EYELET
LB26CKW01-5C24-JC
按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V
HMC44DRAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 16-VFQFN 裸露焊盘 CONN EDGECARD 88POS R/A .100 SLD
HHR-260SCPY01F7
电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK 8.4V 2450MAH NIMH

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