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DMN3150L-7详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：28V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 5V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

DMN3150L-7详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：28V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 5V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：Digi-Reel®

DMN3150L-7详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：28V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 5V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

D4C-1750
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DCA1-5CNC5H1
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ECS-51-20-4
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DM330011
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BK0012
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D4C-1901
快动，限位，拉杆 Omron Electronics Inc-IA Div LIMIT SWITCH, PIN PLUNGER
DBMM-13W3S
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ECS-51-20-5P-TR
晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 5.0688MHZ 20PF SMD
DM330014
评估板 - LED 驱动器 Microchip Technology 模块 KIT DEV DGTL LED LIGHTING
D4C-2
配件 Electroswitch WAFER SW DP-6POS SHORTING .5A
BK0603HM121-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） FERRITE BEAD 120 OHM 0201
DAC7513N/250
数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments SOT-23-8 IC 12-BIT R-R D/A CONV SOT-23-8
DBMM13W3SM
D-Sub ITT Cannon DSUB 13W3 F PCB G50

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