DMN3115UDM-7 全国供应商、价格、PDF资料

DMN3115UDM-7详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.2A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：476pF @ 15V

功率_最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：带卷 (TR)

DMN3115UDM-7详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.2A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：476pF @ 15V

功率_最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：剪切带 (CT)

DMN3115UDM-7详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.2A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：476pF @ 15V

功率_最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：Digi-Reel®