DMN3052L-7 全国供应商、价格、PDF资料

DMN3052L-7详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.8A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：555pF @ 5V

功率_最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：Digi-Reel®

DMN3052L-7详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.8A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：555pF @ 5V

功率_最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：带卷 (TR)

DMN3052L-7详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.8A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：555pF @ 5V

功率_最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：剪切带 (CT)